
أطلقت ألمانيا مشروع بحثي تعاوني لتطوير ميكروLED باستخدام السيلكون المغطى بـ GaN، لتعزيز اختراقات تقنية العرض الجيل التالي
أطلقت ألمانيا مشروع بحثي تعاوني لتطوير ميكرو إل إي دي باستخدام جاليوم نيتريد على سيليكون (GaN-on-Si)، بهدف تحسين أداء تقنيات العرض وتعزيز قدرة الإنتاج الضخم، مما يدعم تطور التطبيقات المتقدمة مثل الواقع المعزز والواقع الافتراضي. تم إطلاق المشروع من قبل معهد فراونهوفر، وقد حقق بالفعل توزيعًا للصورة بحجم 10 مايكرومتر، مما يسرع من عملية تجاريّة التقنية. كما قامت شركة غوانغ بو الإلكترونية الصينية أيضًا بتنظيم استراتيجي لدعم الابتكار وتحديث صناعة إل إي دي العالمية.
اقرأ المزيد





