
เยอรมนีเปิดตัวโครงการวิจัยร่วมพัฒนา MicroLED บน GaN-on-Si เพื่อขับเคลื่อนการปฏิวัติเทคโนโลยีการแสดงผลในยุคถัดไป โครงการวิจัยร่วมระหว่างหน่วยงานและองค์กรภาคอุตสาหกรรมของเยอรมนีได้เริ่มต้นขึ้นแล้ว เพื่อพัฒนาเทคโนโลยี MicroLED ที่ใช้ฐาน Si (Silicon) พร้อมกับวัสดุ GaN (Gallium Nitride) โดยมีเป้าหมายเพื่อสร้างความก้าวหน้าด้านเทคโนโลยีการแสดงผลในระดับใหม่ โครงการนี้มุ่งเน้นการพัฒนากระบวนการผลิตที่มีประสิทธิภาพและสามารถนำไปใช้งานได้จริง รวมถึงการปรับปรุงคุณสมบัติทางไฟฟ้าและแสงของอุปกรณ์ MicroLED ให้เหมาะสมสำหรับการใช้งานในอุปกรณ์แสดงผลรุ่นใหม่ เช่น จอภาพแบบ Mini-LED และ Micro-LED ที่มีความละเอียดสูง ความสว่างสูง และการประหยัดพลังงานอย่างมีประสิทธิภาพ
เยอรมนีเปิดตัวโครงการวิจัยร่วมพัฒนา MicroLED บนฐาน GaN-on-Si เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพของเทคโนโลยีการแสดงผลและศักยภาพในการผลิตจำนวนมาก ช่วยส่งเสริมการพัฒนาการใช้งานขั้นสูง เช่น AR/VR โครงการนี้นำโดยสถาบัน Fraunhofer ซึ่งสามารถสร้างแมทริกซ์ของพิกเซลระดับ 10 ไมโครเมตรได้แล้ว ช่วยเร่งกระบวนการทางการค้าของเทคโนโลยีนี้ บริษัทในประเทศอย่าง Guangpu Electronics ก็ได้ดำเนินการลงทุนอย่างกระตือรือร้น เพื่อสนับสนุนการเปลี่ยนแปลงและการพัฒนาอุตสาหกรรม LED ทั่วโลก
อ่านเพิ่มเติม





