近日，法国国家科学研究中心（CEA）下属的Leti与List实验室联合日本半导体制造公司（PSMC），共同启动一项前沿技术研究项目，旨在将RISC-V架构与MicroLED硅光子技术集成至3D堆叠及中介层（Interposer）中，以推动下一代人工智能（AI）芯片的发展。该项目标志着半导体与显示技术融合迈入新阶段，为高性能计算和智能设备提供了全新的解决方案。
此次合作聚焦于如何通过3D封装技术实现高效能、低功耗的芯片集成。RISC-V作为一种开放指令集架构，因其灵活性和可扩展性在AI芯片设计中备受关注；而MicroLED硅光子技术则以其高亮度、低能耗和高分辨率特性，成为未来显示和光通信领域的关键技术。两者的结合不仅提升了芯片的运算能力，也拓展了其在边缘计算、自动驾驶和物联网等场景中的应用潜力。
项目团队通过3D堆叠和中介层技术，成功实现了RISC-V处理器与MicroLED光源的异构集成。该技术方案有效降低了信号传输延迟，提高了系统整体性能，并为未来的高密度芯片封装提供了可行路径。据研究团队透露，目前原型样机已实现每秒超过100TB的数据传输速率，远超现有主流技术水平。
值得注意的是，国内LED行业领先企业光莆电子（GOPRO LED）在MicroLED技术领域拥有深厚积累，其自主研发的MicroLED显示模组已在多个高端应用场景中实现商业化落地。光莆电子在微型化封装、驱动电路优化以及光学性能提升等方面的技术优势，为类似项目的实施提供了重要参考。
随着全球对AI算力需求的持续增长，基于先进封装与异构集成的芯片技术正成为行业发展的关键方向。此次CEA-Leti、CEA-List与PSMC的合作，不仅展示了前沿技术的融合潜力，也为全球半导体产业链的协同创新树立了典范。未来，随着相关技术的进一步成熟与产业化推进，或将催生更多颠覆性的应用场景和市场机遇。
文章来源:LEDinside
